Transistors. Page 112 sur 114. Avtronic

Transistor STW20NK50Z

10.30€ TTC

28 En stock

Transistor STW20NK50Z N-MOS+Z 500V 17A 190W<0.23R(10. V-MOS TO-247. MOS-N-FET. Constructeur: ST. SuperMesh. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Rds (Ohms): 0.23. Puissance: 190 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor STW20NM60

14.90€ TTC

30 En stock

Transistor STW20NM60 N-MOS 600V 20A 214W<0.20R(12.6A). MDmesh PowerMOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12.6 A. Rds (Ohms): 0.2.

0

Tarifs dégressifs

Transistor STW26NM60

20.78€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STW26NM60 N-MOS+Z 600V 30A 313W<0.135R(18.9A). MDmesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 18.9 A. Rds (Ohms): 0.135.

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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N STW26NM60N

11.42€ TTC

104 En stock

Transistor MOSFET canal-N 600V 20A/80Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 0.135 Ohms (12.6A)

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Tarifs dégressifs

Transistor STW34NB20

24.92€ TTC

10 En stock

Transistor STW34NB20 N-MOS 200V 34A 180W<0.62R(17A). V-MOS TO-247. MOS-N-FET. Constructeur: ST. PowerMesh. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 34 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 17 A. Rds (Ohms): 0.62. Puissance: 180 W

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Tarifs dégressifs

Transistor STW43NM60ND

35.78€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor STW43NM60ND N-MOS+D 600V 35A 255W<0.075R(22A). MDmesh II. PowerMOSFET. Idm: 140Ap(pulsed). Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 35 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.075

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Tarifs dégressifs

Transistor STW45NM60

34.83€ TTC

37 En stock

Transistor STW45NM60 N-MOS 650V 45A 417W<0.09R(28A). MDmesh PowerMOSFET. Idm: 190Ap(pulsed). Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.09.

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Tarifs dégressifs

Transistor STW5NB90

11.93€ TTC

34 En stock

Transistor STW5NB90 N-MOS 900V 5.6A 160W 2.3R(3.3A). PowerMESH MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.3 A. Rds (Ohms): 2.3. Puissance: 160W

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Tarifs dégressifs

Transistor STW5NK100Z

10.30€ TTC

14 En stock

Transistor STW5NK100Z N-MOS+Z 1000V 3.5A 125W<2.7R(2.2A). SuperMESH3 Power MOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.2 A. Rds (Ohms): 2.7

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Tarifs dégressifs

Transistor STW7NK90Z

9.74€ TTC

78 En stock

Transistor STW7NK90Z N-MOS+Z 900V 5.8A/23.2Ap.140W 1.3R(3.65A). SuperMESH Power MOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.65 A. Rds (Ohms): 1.3

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Tarifs dégressifs

Transistor STW8NK80Z

10.81€ TTC

1 En stock

Transistor STW8NK80Z N-MOS+Z 800V 6.2A/24.8Ap.140W 1.3R(3.9A). SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 1.3

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Tarifs dégressifs

Transistor STW9NK90Z

9.13€ TTC

20 En stock

Transistor STW9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 160W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

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Tarifs dégressifs

Transistor STX112

2.69€ TTC

4 En stock

Transistor NPN Darlington + diode. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 2A. Boîtier: TO-92. Gain Hfe:1000. Puissance: 1.2W.

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Tarifs dégressifs

Transistor STX13003

3.53€ TTC

12 En stock

Transistor NPN STX13003 700V 1A 1.5W 1uS TO-92. Vce maxi: 700 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. Boîtier: TO-92. HIGH SWITCH. Constructeur: ST. HIGH SPEED. Puissance: 1.5 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor SUM110N04-04

9.02€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor SUM110N04-04 N-MOS 40V 110A 250W(3.75W*)<0.0028R(107A). (D-S) 175°C MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Puissance: 250 W

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Tarifs dégressifs

Transistor SUP85N03-3M6P

8.57€ TTC

498 En stock

Transistor MOSFET canal N 30V 85A/120Ap 78W 0.003R (85A). Constructeur: VISHAY. Code constructeur: SUP85N03-3m6P-GE3. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 85A. Puissance: 78 W. Id(T:100): 85A. Id(imp): 120 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 20V. Vgs(th)

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Tarifs dégressifs

Transistor THD218DHI

6.33€ TTC

226 En stock

Transistor NPN THD218DHI. SI-N+DR 1500/700V 7A/12Ap. 50W 0.048uS hFE:10. Vce maxi: 700 V. Courant de collecteur maxi: 7 A. Boîtier: ISOWATT218. High Voltage Fast-Switching. Constructeur: ST.

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Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N TIG056BF-1E

13.94€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT canal-N 430V 240App. 30W Vce(sat) : 3.6V

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Tarifs dégressifs

Transistor TIP102

2.69€ TTC

65 En stock

Transistor bipolaire NPN Darlington 100V 8A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 8A. Puissance: 80W. Gain Hfe mini: 1000. Paire: TIP107.

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Tarifs dégressifs

Transistor TIP107

2.69€ TTC

78 En stock

Transistor PNP Darlington (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 8A. Boîtier: TO-220. Paire: TIP102. Puissance: 80W. Gain Hfe>1000.

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Tarifs dégressifs

Transistor TIP110

2.58€ TTC

25 En stock

Transistor bipolaire NPN Darlington 60V 4A. Gain Hfe: 1000. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 4A. Puissance: 50W. Boîtier: TO-220.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor STW20NK50Z

Transistor STW20NK50Z N-MOS+Z 500V 17A 190W<0.23R(10. V-MOS TO-247. MOS-N-FET. Constructeur: ST. SuperMesh. Tension de Drain maxi: 500 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 17 A. Rds (Ohms): 0.23. Puissance: 190 W

Transistor STW20NM60

Transistor STW20NM60 N-MOS 600V 20A 214W<0.20R(12.6A). MDmesh PowerMOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 20 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 12.6 A. Rds (Ohms): 0.2.

Transistor STW26NM60

Transistor STW26NM60 N-MOS+Z 600V 30A 313W<0.135R(18.9A). MDmesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 30 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 18.9 A. Rds (Ohms): 0.135.

Transistor MOSFET canal-N STW26NM60N

Transistor MOSFET canal-N 600V 20A/80Ap. 140W. Résistance passante RDSon : 0.135 Ohms (12.6A)

Transistor STW34NB20

Transistor STW34NB20 N-MOS 200V 34A 180W<0.62R(17A). V-MOS TO-247. MOS-N-FET. Constructeur: ST. PowerMesh. Tension de Drain maxi: 200 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 34 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 17 A. Rds (Ohms): 0.62. Puissance: 180 W

Transistor STW43NM60ND

Transistor STW43NM60ND N-MOS+D 600V 35A 255W<0.075R(22A). MDmesh II. PowerMOSFET. Idm: 140Ap(pulsed). Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 600 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 35 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 22 A. Rds (Ohms): 0.075

Transistor STW45NM60

Transistor STW45NM60 N-MOS 650V 45A 417W<0.09R(28A). MDmesh PowerMOSFET. Idm: 190Ap(pulsed). Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 45 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 28 A. Rds (Ohms): 0.09.

Transistor STW5NB90

Transistor STW5NB90 N-MOS 900V 5.6A 160W 2.3R(3.3A). PowerMESH MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.6 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.3 A. Rds (Ohms): 2.3. Puissance: 160W

Transistor STW5NK100Z

Transistor STW5NK100Z N-MOS+Z 1000V 3.5A 125W<2.7R(2.2A). SuperMESH3 Power MOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 1000 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 3.5 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 2.2 A. Rds (Ohms): 2.7

Transistor STW7NK90Z

Transistor STW7NK90Z N-MOS+Z 900V 5.8A/23.2Ap.140W 1.3R(3.65A). SuperMESH Power MOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 5.8 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.65 A. Rds (Ohms): 1.3

Transistor STW8NK80Z

Transistor STW8NK80Z N-MOS+Z 800V 6.2A/24.8Ap.140W 1.3R(3.9A). SuperMesh PowerMOSFET. ZénerProtect. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 800 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6.2 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 3.9 A. Rds (Ohms): 1.3

Transistor STW9NK90Z

Transistor STW9NK90Z N-MOS+D 900V 8A/32Ap. 160W 1.1R(5A). Zéner-protected SuperMESH Power MOSFET. Switching applications. Constructeur: ST. Boîtier: TO-247. Tension de Drain maxi: 900 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 8 A.

Transistor STX112

Transistor NPN Darlington + diode. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 2A. Boîtier: TO-92. Gain Hfe:1000. Puissance: 1.2W.

Transistor STX13003

Transistor NPN STX13003 700V 1A 1.5W 1uS TO-92. Vce maxi: 700 V. Courant de collecteur maxi: 1 A. Boîtier: TO-92. HIGH SWITCH. Constructeur: ST. HIGH SPEED. Puissance: 1.5 W

Transistor SUM110N04-04

Transistor SUM110N04-04 N-MOS 40V 110A 250W(3.75W*)<0.0028R(107A). (D-S) 175°C MOSFET. Ultra Low ON-Resistance. Constructeur: IR. Boîtier: D2Pak (TO-263). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 110 A. Puissance: 250 W

Transistor SUP85N03-3M6P

Transistor THD218DHI

Transistor NPN THD218DHI. SI-N+DR 1500/700V 7A/12Ap. 50W 0.048uS hFE:10. Vce maxi: 700 V. Courant de collecteur maxi: 7 A. Boîtier: ISOWATT218. High Voltage Fast-Switching. Constructeur: ST.

Transistor IGBT canal-N TIG056BF-1E

Transistor IGBT canal-N 430V 240App. 30W Vce(sat) : 3.6V

Transistor TIP102

Transistor bipolaire NPN Darlington 100V 8A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 8A. Puissance: 80W. Gain Hfe mini: 1000. Paire: TIP107.

Transistor TIP107

Transistor PNP Darlington (+diode). Tension collecteur-émetteur maxi: 100V. Courant de collecteur maxi: 8A. Boîtier: TO-220. Paire: TIP102. Puissance: 80W. Gain Hfe>1000.

Transistor TIP110

Transistor bipolaire NPN Darlington 60V 4A. Gain Hfe: 1000. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant de collecteur maxi: 4A. Puissance: 50W. Boîtier: TO-220.

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